Компания Hamamatsu изготавливает различные виды инфракрасных детекторов на основе полупроводниковых соединений InSb, InAs и InAsSb. Различные материалы и типы детекторов (фотодиод, фотогальванический элемент или фотопроводник) позволяют получить различную спектральную чувствительность в диапазоне длин волн от 1 мкм и до 6.5 мкм.
Детекторы InAs и InSb чувствительны в диапазоне до
3.6 мкм и 5.5 мкм, соответственно. Эти детекторы имеют спектральную характеристику аналогичную характеристике детекторов из PbSe и PbS. Однако детекторы на основе InSb и InAs имеют большую скорость отклика, лучшее значение отношения сигнал/шум и могут использоваться в применениях, в которых нельзя использовать детекторы на основе PbSe и PbS. Детекторы InSb
чувствительны в диапазоне до 6.5 мкм, где детекторы из PbS и PbSe не воспринимают сигнал, и обладают высокой чувствительностью и скоростью считывания. Фотодиоды на основе InAsSb обладают высокой скоростью считывания сигнала и чувствительностью в диапазоне длин волн от 1.5 мкм до 5 мкм, что позволяет применять их в качестве чувствительных элементов для газоанализаторов.
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
)
