Компания Hamamatsu изготавливает MПМ фотодетекторы (Металл-Полупроводник-Металл), обладающие сверхбыстрым временем считывания. MПM фотодетектор на основе арсенида галия GaAs G4176 имеет время нарастания и спада импульса 30 пс при низком темновом токе 100 пА при температуре окружающей среды Ta-25 °C. Время нарастания MПM фотодетектора на основе антимонида индия InGaAs
G7096 составляет 40 пс. В чувствительной области фотодетектора созданы симметричные встречно-штырьевые контакты Шоттки. MПM фотодетекторы предназначены для измерения оптических высокоскоростных сигналов и сигналов в оптических линиях связи. Для каждого MПM фотодетектора доступны два типа корпуса. Фотодетекторы G4176 и G7096 имеют коаксильный металлический корпус, который упрощает подключение к разъему SMA типа. Фотодетекторы G4176-01 и G7096-01 имеют распространенный корпус TO-18.
)
)
