Кремниевые фотодиоды представляют собой полупроводниковые приборы, которые генерируют ток или напряжение, когда P-N переход полупроводника освещается светом. Эти приборы обладют превосходной линейностью характеристик по отношению к падающему световому потоку, низким собственным шумом и широкой спектральной характеристикой. Кремниевые фотодиоды имеют долгий срок службы, механическую прочность и компактные размеры.
Фотодиоды можно разделить по назначению или по конструктивному исполнению следующим образом:
- Кремниевые фотодиоды: Обладают высокой чувствительностью и низким темновым током, данные фотодиоды предназначены специально для применения в точной фотометрии в различных областях деятельности.
- PIN
фотодиоды: Эти фотодиоды обладают широкой полосой пропускания при малом напряжении смещения, что делает их идеальными детекторами для применения в высокоскоростной фотометрии и оптических линиях связи.
- Кремниевые фотодиоды с предусилителем/охлаждением: Кремниевые фотодиоды могут состоять из кристаллов самого фотодиода и малошумящего предусилителя, помещенных в один корпус.
- Кремниевые фотодиодные линейки: Кремниевые фотодиодные линейки состоят из нескольких фотодиодных кристаллов, собранных в виде линейной или матричной структуры и помещенных в один корпус.
- Лавинные фотодиоды: Кремниевые лавинные фотодиоды (Si APD) обладают встроенным механизмом усиления, быстрым временем отклика и высокой чувствительностью в диапазоне длин волн от ультрафиолетового излучения и до ближней инфракрасной области.
- Рентгеновские фотодиоды: Эти фотодиоды применяются для детектирования ионизирующего излучения и детектирования частиц с высокой энергией.
- Кремниевые фотодиоды могут быть объединены в монолитные или гибридные сборки со встроенной схемой обработки сигнала, на базе которых изготавливаются мощные фотоэлектрические интегральные схемы.
