Официальный дистрибьютор Hamamatsu в России

   Переход на официальный сайт фирмы Hamamatsu
  Новости   Продукция   Каталоги   Применения   Поддержка   О компании   Где купить Hamamatsu  
 
Все новости:

03-02-2012
Ксеноновые лампы-вспышки мощностью 20 Вт Серия L119XX
02-02-2012
Высоковольтные источники питания
01-02-2012
Квантово-каскадные лазеры
31-01-2012
Фотодиодный массив с освещением с обратной стороны подложки
30-01-2012
Двумерные датчики изображения на InGaAs
26-01-2012
Датчики на термостолбиках T11262-01, T11722-01
17-06-2011
Фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) R6094
23-05-2011
Модули на ксеноновых лампах с большой энергией в импульсе L11316-0X, L11317-0X
23-05-2011
Компактные модули на импульсных ксеноновых лампах L9455-2X, L9456-2X
17-05-2011
Новый высоковольтный источник питания С9727
16-05-2011
Фотоэлектронные умножители серии R7600U-300
13-05-2011
Линейные приёмники изображения на InGaAs серии G11608
29-04-2011
Перспективные фотоумножители от HAMAMATSU
28-09-2010
Усилитель С11184
14-09-2010
Модули фотоумножителей на GaAsP и GaAs H10769A-40/50, H8224A-40/50, H10770A-40/50
17-08-2010
Компактные фотоумножители в металлическом корпусе серии R9880U
20-07-2010
Кремниевые датчики с расширенным ИК диапазоном
23-03-2010
Плоский модуль фотоумножителя H10966A-100/H10966B-100
 
19-03-2010
Модуль фотоумножителя H10580
 
09-03-2010
Модуль фотоумножителя H10570
 
03-03-2010
Модуль фотоумножителя H10828
 
02-03-2010
Солнечно-слепой фотоумножитель H10744
 
27-01-2010
Новая высокочувствительная головка, работающая в режиме счёта фотонов H10682-110
 
24-01-2010
InGaAs PIN-фотодиод. Серия G10899 c расширенной областью в видимом диапазоне
 
22-01-2010
"Ультракомпактные спектрометры" дюймового формата стали реальностью благодаря новой технологии MOEMS!
Миниспектрометр
C10988MA
"Ультракомпактные спектрометры" дюймового формата стали реальностью благодаря новой технологии MOEMS!

C10988MA – это миниатюрная (27,6 х 13 х 16,8 мм) спектрометрическая головка, разработанная благодаря объединению технологий HAMAMATSU MEMS (микро-электромеханические системы) и датчиков изображения.

Помимо КМОП-датчика изображения с интегрированной оптической щелью, изготовленной травлением, в C10988MA встроена дифракционная решётка, выполненная на выпуклой линзе с помощью нанопечати. Поскольку и датчики изображения и оптические системы изготавливаются непосредственно у HAMAMATSU, благодаря свободе дизайна удалось создать продукт, отвечающий современным требованиям рынка.

MOEMS (Микро-оптоэлектромеханические системы)

MEMS представляет сейчас пристальный интерес передовая полупроводниковая технология. HAMAMATSU совместили MEMS-технологию и оптическую технологию, создав принципиально новую технологию MOEMS, по которой выпускаются сложные и разнообразные устройства, которые компактнее и дешевле, чем когда-либо ранее.


Данный спектрометр поставляется только OEM-заказчикам
Технология MEMS
  • Травление
  • Нанопечать
  • Разварка
  • Электронно-микроскопическое изображение дифракционной решётки
    Оптическая технология
  • Оптическая технология
  • Датчики изображения
  • Технология ИС
  • Датчики изображения, использующиеся в микроспектрометрах различных типов

    Для уменьшения размеров миниспектрометров C10988MA используются различные MEMS-технологии
    Пример применения – 1 (технология MOEMS technologies)

    Технология травления
    Создание щели в датчике изображения

    Для создания в КМОП-датчике, изготавливаемом на собственном предприятии Hamamatsu, щели размерами 75х750 мкм используется глубокое травление. Эти устройства отличаются высокой точностью позиционирования, поскольку для создания щели используются те же фотошаблоны, что и для создания самого датчика.

     Пример применения - 2 (технология MOEMS)

    Технология нанооттиска
    Упрощение оптической системы

    Технология нанооттиска используется для изготовления копии дифракционной решётки, которая переносит структуру дифракционной решётки на стекло. На поверхность выпуклой линзы наносится копирующий пластик, на котором путём прижима исходной дифракционной решётки с одновременным облучением ультрафиолетом формируется структура дифракционной решётки.

    КМОП чип (обратная сторона)Сечение сквозной щели Оттиск решетки Электронно микроскопическое изображение решетки
     
    Характеристики
  • Небольшой размер: 27,6 х 13 х 16,8 мм
  • Вес: 9 г
  • Спектральный диапазон: от 340 до 750 нм
  • Спектральное разрешение: 14 нм
  • Рассчитан на установку в аппаратуру

  • Применения
  • Переносная измерительная аппаратура
  • Мониторы цветопередачи принтеров и крупноформатных дисплеев
  • Общие данные/ Предельно допустимые параметры
    ПараметрТехнические данныеЕд.
    Датчик изображенияЧисло ячеек256Элементов
    Размер ячейки12.5(H)x1000(V)мкм
    Щель75(H)x750(V)мкм
    Оптическая числовая апертура0.22-
    Рабочая температураОт +5 до +40C
    Температура при храненииОт -20 до +70C
    Электрические характеристики
    ПараметрТехнические данныеЕд.
    Напряжение питания5В
    Потребляемая мощность30 (тип.)мВт
    Скорость вывода изображения200кГц
    Электрические характеристики
    ПараметрТехнические данныеЕд.
    Спектральный диапазон340-750нм
    Спектральное разрешение (полуширина)14нм
    Скорость вывода изображения+/- 0.5нм
    Уровень паразитного оптического сигнала-25дБ
    Зависимость разрешения от длинны волныПример измерения спектра излучения белого светодиода
    Габаритные размеры (мм)